Procédé et dispositif permettant de réaliser des revêtements conformables en aluminium pur ou en aluminium dopé sur un substrat à motif (29). Ce procédé fait appel à des techniques de dépôt chimique en phase vapeur à basse température à assistance thermique et par plasma, avec des substrats polarisés par positionnement du substrat sur une électrode inférieure (27) entraînée par un générateur de fréquence (31) dans un réacteur CVD (17) pour obtenir des couches simples et doubles conformes constituées d'aluminium pur et/ou d'aluminium dopé (par exemple d'aluminium renfermant 0,5 % de cuivre) sur des substrats de dispositifs semiconducteurs présentant des motifs de trous, voies et tranchées à rapports longueur/diamètre agressifs. Le recours à un procédé par déposition chimique en face vapeur stimulé par plasma, qui fait appel à de faibles densités de puissance de plasma, permet de réaliser la croissance de films d'aluminium présentant l'uniformité de morphologie de surface et la finesse de grain nécessaire à des applications à très grande échelle d'intégration, tandis que la polarisation du substrat assure une couverture supérieure et un remplissage complet par l'aluminium des caractères intrinsèques d'un dispositif microélectronique.