Système et méthode pour contrôler la croissance d'un monocristal de silicium

N° de brevet: EP0745830 (A2)
Date de publication: 1996-12-04
Inventeur(s): FUERHOFF ROBERT H [US];
Demandeur(s): MEMC ELECTRONIC MATERIALS [US];
Classification: C30B15/26;C30B29/06;G01B11/10;H01L21/208;
N° de demande: EP19960303047 19960501 
Numéro(s) de priorité: US19950459765 19950602 
Système et procédé pour déterminer le diamètre d'un cristal de silicium tiré d'un bain de fusion de silicium pour contrôler un appareil de croissance d'un cristal de silicium. Le bain de fusion a une surface avec un ménisque qui est visible comme un anneau brillant adjacent au cristal. Le circuit de traitement d'image détecte une caractéristique du modèle d'image et définit un bord de l'anneau brillant comme une fonction de la caractéristique détectée. Le circuit de traitement d'image définit en plus une forme généralement circulaire incluant le bord défini de l'anneau brillant. Le diamètre du cristal est alors déterminé sur la base du diamètre de la forme définie en usage pour le contrôle de l'appareil de croissance de cristal.

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