Dans un réacteur pouvant réduire en pression interne, une couche de matériau non-monocristallin contenant au moins un type d'atomes de carbone, d'atomes d'hydrogène ou d'atomes d'Azote, est formée et chimiquement attaquée, au dessus d'une couche non-monocristalline photoconductrice composée principalement d'atomes de silicium, formée sur un substrat, avec une puissance haute-fréquence appliquée entre 50 MHz et 450 MHz. Les phases de formation et attaque sont répétées en alternance plusieurs fois pour former la couche en surface. Une pièce exposée à la lumière ayant une telle couche en surface ne perd pas ses caractéristiques de propreté même sur une longue durée, permet difficilement une adhérence des produits de décharge type Corona, et peut ne pas comporter d'images non distinctes, d'images atténuées, de densité d'images irrégulière même s'il y a des moyens de chauffage.