L'invention concerne une bobine de chauffage à induction à haute fréquence qui permet dans un monocristal de semiconducteur en processus de croissance d'incorporer des impuretés uniformément à l'intérieur, permet un réglage aisé de la propriété de répartition de chaleur, et prévient la décharge d'électricité à travers une fente. La bobine de chauffage à induction à haute fréquence comprend une paire de conducteurs annulaires (21, 22), une paire de bornes d'alimentation (23a, 23b) pour fournir un courant électrique à haute fréquence à la paire de conducteurs annulaires (21, 22) et une multitude de petites bobines (24a à 24f) et (25a à 25f) ayant la paire de conducteurs annulaires (21, 22) comme électrodes opposées et faisant saillie vers l'axe de la paire de conducteurs annulaires s'étendant d'un premier conducteur annulaire (21) vers un second conducteur annulaire (22).