L'invention concerne un procédé et un appareil pour l'analyse d'un dispositif à semi conducteurs (12) dans lequel se trouve une diode (16). Dans son principe général, l'invention implique l'irradiation du dispositif à semi conducteurs (12) à l'aide d'une radiation électromagnétique tout en contrôlant la sortie du courant de fuite de la diode (6) contenue dans le dispositif à semiconducteurs (2). Si le dispositif à semiconducteurs (2) est présent et proprement connecté à la plaque de circuits imprimés (4), une augmentation du courant de fuite pourra être observée durant le processus d'irradiation. L'augmentation du courant de fuite est aussi représentative de la présence de connexions intactes à la fois à la fiche testée et à la fiche de terre. L'invention dans sa forme préférée comprend une source de tension (20), connectée électriquement à la diode (16), de manière à polariser la diode en inverse, un contrôleur de courant (24,25), connecté pour contrôler le courant de fuite de la diode (16) et un générateur de radiation électromagnétique, positionné de manière à fournir une radiation électromagnétique incidente sur le dispositif à semi-conducteurs (12). Il est préférable que la radiation électromagnétique soit une radiation ionisante telle que des rayons X. Cependant, une telle radiation électromagnétique peut aussi être une lumière du visible telle qu'une lumière fluorescente ou une lumière incandescente. Dans le mode de réalisation préféré, le dispositif à semiconducteurs (12) est d'abord exposé à la radiation électromagnétique et ensuite, la diode (1b) est polarisée en inverse.