Méthode pour le contrôle d'un monocristal pendant sa croissance
| N° de brevet: |
EP0146132 (A2) |
| Date de publication: |
1985-06-26 |
| Inventeur(s): |
TATSUMI MASAMI C O OSAKA WORKS;SAWADA SHIN-ICHI C O OSAKA WOR;NAKAI RYUSUKE C O OSAKA WORKS; |
| Demandeur(s): |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES [JP]; |
| Classification: |
C30B15/26;G01N23/207; |
| N° de demande: |
EP19840115476 19841214 |
| Numéro(s) de priorité: |
JP19830237669 19831216 |
Un cristal unique (3), est irradié pendant la croissance par un faisceau de rayons X allongé transversalement (9) et le faisceau de rayons X diffracté (10) par le cristal (3) est contrôlé par un amplificateur d'image (11) dans un système à deux dimensions afin que les rayons X diffractés puissent être contrôlés par l'amplificateur d'image même s'il se produit un changement du diamètre ducristal (3). Dans un autre procédé, une moitié du cristal unique (3) est irradiée pendant la croissance par un faisceau de rayons X allongé transversalement et l'autre moitié du cristal est irradiée par le faisceau de rayons X sur toute la hauteur ducristal afin que les tâches de Laue de la croissance du cristal soient représentées sur une moitié de l'écran de l'amplificateur d'image (11) et la forme du cristal, étant extraite est contrôlée sur une autre moitié de l'écran de l'amplificateur d'image.
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