L'invention décrit un procédé pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs ayant une surface non détériorée dans des semiconducteurs composés intrinsèques et de type n attaqués électrochimiquement. Le procédé comporte une étape de photogravure consistant à appliquer un potentiel au semiconducteur composé lorsqu' il est en contact avec la solution électrolytique, et à irradier la surface devant être gravée avec une lumière d'une certaine gamme d'énergie. Par un ajustement approprié du potentiel de la composition de la solution électrolytique et de l'énergie de la lumière, la vitesse de gravure est rendue proportionnelle à l'intensité de lumière. Par une variation appropriée de l'intensité de lumière et de la direction du rayon lumineux, des caractéristiques géométriques variées peuvent être imprimées sur la surface du semiconducteur composé. Par exemple un trou avec des parois droites peut être réalisé dans le semiconducteur composé en utilisant une tâche de lumière et des rayons lumineux parallèles (avec collimateur). Une application avantageuse de ce procédé est la fabrication d'une photodiode avec un trou en son centre, destinée à être utilisée dans les systèmes de communication bidirectionnels et pour contrôler la puissance de sortie des sources de communicationoptique. L'avantage de ce procédé est qu'aucune détérioration n'a lieu à l'extérieur du trou gravé, ainsi une zone maximale de la photodiode reste active pour détecter le rayonnement d'entrée. Un autre avantage de ce procédé est que la gravure s'arrête où le matériau devient de type p, ainsi la gravure peut s'arrèter automatiquement à la jonction p/n.