L'invention décrit un procédé pour la croissance de cristaux par refroidissement d'un mélange dans un conteneur (12) (par. ex. une barquette ou un creuset) selon lequel une substance d'encapsulation inerte (15) est interposée entre le mélange et le conteneur pour éviter l'adhésion du cristal audit conteneur et pour éviter la contamination du cristal par le matériau du conteneur. Des résultats particulièrement bons sont obtenus avec des composés semiconducteurs tels que l'arséniure de gallium où les cristaux se développent en utilisant l'oxyde de bore en tant que substance d'encapsulation et ont conséquemment une faible densité de défauts et de faibles densités de contaminations et de contraintes.