L'invention décrit la fabrication d'un film de disulfure de titane sur un substrat, dans laquelle les cristallites de disulfure de titane sont orientés avec un angle, entre leur axe-c et la surface du substrat, de moins de 45 degrés. On décrit également un procédé de fabrication dans lequel le film est préparé par dépôt chimique en phase vapeur à partir de TiC14 et H2 S comme gaz-source sous une pression intérieure du tube de réaction de 30 kPa ou moins.