Cette invention est un procédé pour fabriquer des dispositifs optiques par photo décapage de formes géométriques sur la surface d'un composé semiconducteur intrinsèque ou de type n de façon à produire des surfaces à qualité optique sans traitement supplémentaire. Le procédé de décapage est un procédé électrochimique où le décapage est proportionnel à l'intensité de la lumière. Le procédé met en oeuvre l'application d'un potentiel au composé semiconducteur tandis qu'il est immergé dans une solution électrolytique contenant de l'acide fluorhydrique et l'irradiation de la surface à décaper avec de la lumière dans un certain domaine d'énergie. La distribution de l'intensité de la lumière et de la direction des rayons est sélectionnée de façon à produire la forme géométrique désirée. Ce qui est particulièrement avantageux, c'est que les surfaces produites sont de qualité optique. Par exemple, des lentilles produites par le proc€édé de décapage présentent des surfaces de qualité optique. De plus, le procédé peut être exécuté sur toutes les lentilles sur une plaquette de façon simultanée sans porter son attention sur des dispositifs individuels. Ceci est hautement désirable sur le plan économique. Et puis, les lentilles produites sontdes parties intégrantes de la diode émettrice de lumière.