L'invention concerne un dispositif pour la croissance de GaAs monocristallin se basant sur la technique de fusion de zone flottante dans un cylindre (1) chargé par un polycristal de GaAs (6) et un germe de monocristal de GaAs (3). Le dispositif comprend un réservoir d'As (11) communiquant avec l'intérieur d'un cylindre (1) pour fournir une pression de vapeur d'A s optimum dans le cylindre (1) sous des conditions telles qu'une variation de température continue est établie entre ce réservoir d'As (11) et les cristaux de GaAs (3,6) chargés dans le cylindre (1). On peut ainsi obtenir un monocristal de GaAs (4) ayant une petite déviation par rapport à la stoechiométrie et une bonne perfection cristalline.