L'invention concerne une cathode semi-conductrice basée sur le phénomène de claquage par avalanche dans une jonction pn. Les électrons dégagés acquièrent de l'énergie supplémentaire à l'aide d'une électrode d'accélération appliquée sur le dispositif. L'augmentation d'efficacité ainsi obtenue justifie la réalisation de telles cathodes dans la technique de silicium planaire Ces cathodes sont appliquées par exemple aux tubes à rayons cathodiques, aux dispositifs de reproduction, aux dispositifs d'enregistrement et à la lithographie électronique. Application : Tubes à rayons cathodiques.