Procédé de fabrication de plaques de silicium de grande surface, non soutenues. Ce procédé est essentiellement caractérisé en ce qu'on dépose jusqu'a une épaisseur de 200 à 650 mu m, sur un substrat en graphique porté à la température de dépôt, du silicium provenant d'un composé gazeux auquel on a ajouté un dopant, puis on fait fondre cette couche de silicium sur 40 à 100 % de son épaisseur à partir de sa surface libre, on provoque ensuite une nouvelle solidification de la matière de cette couche par création d'un gradient de température approprié à partir du substrat, et enfin on la sépare du substrat. Ces plaques de silicium sont destinées à la fabrication de cellules solaires.