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PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MATIERE SEMI–CONDUCTRICE DE GRANDE SURFACE, FIXEE A UN SUBSTRAT
Circuit à élément photosensible convenant en particulier pour la détection de faibles densités de photons et pour fonctionner dans le mode d'emmagasinage de charge. L'élément photosensible comporte une diode à faible surface ainsi qu'une diode MOS voisine, à grande surface. Cette dernière diode qui sert à l'engendrement de porteurs de charge est formée par une électrode-porte-résistance isolée. La diode sert principalement à l'emmagasinage de porteurs de charge engendrés. Le transport de la charge a lieu sous l'influence d un champ de propagation électrique pouvant être engendré dans le corps semi-conducteur à l'aide de l'électrode-résistance. Application aux systèmes magnétiques optiques à fonction de memoire.
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