PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MATIERE SEMI–CONDUCTRICE DE GRANDE SURFACE, FIXEE A UN SUBSTRAT

N° de brevet: FR2363199 (A1)
Date de publication: 1978-03-24
Inventeur(s): ;
Demandeur(s): WACKER CHEMITRONIC [DE];
Classification: C30B13/00;C30B13/06;H01L21/205;H01L31/04;H01L31/18;
N° de demande: FR19770025810 19770824 
Numéro(s) de priorité: DE19762638269 19760825 
Circuit à élément photosensible convenant en particulier pour la détection de faibles densités de photons et pour fonctionner dans le mode d'emmagasinage de charge. L'élément photosensible comporte une diode à faible surface ainsi qu'une diode MOS voisine, à grande surface. Cette dernière diode qui sert à l'engendrement de porteurs de charge est formée par une électrode-porte-résistance isolée. La diode sert principalement à l'emmagasinage de porteurs de charge engendrés. Le transport de la charge a lieu sous l'influence d un champ de propagation électrique pouvant être engendré dans le corps semi-conducteur à l'aide de l'électrode-résistance. Application aux systèmes magnétiques optiques à fonction de memoire.

Copyright © 2008 Patfr.com Tous droits réservés. Contact