La présente invention concerne un procédé de dépôt de silicium polycristallin, à partir d'une phase gazeuse, sur des pièces supports en carbone. Le procédé selon l'invention est essentiellement caractérisé en ce que lesdites pièces supports sont assemblées à partir d'éléments souples planiformes en carbone, d'épaisseur comprise entre 0,1 et 2 mm On peut utiliser le silicium ainsi produit, après broyage, pour la production de silicium monocristallin par le procède de Czochralski, par fusion de zone avec tirage et creuset