La présente invention concerne un procédé de préparation d'un matériau semi-conducteur pur élémentaire, tel que du silicium et du germanium, par décomposition d'un gaz. Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'un ou plusieurs composés du matériau semi-conducteur considéré sont introduits sous une pression de 0,01 à 30 bars dans une masse fondue 6 de ce semi-conducteur à une température supérieure au maximum de 200 degrés C à son point de fusion. Le silicium fondu ainsi obtenu peut être utilisé directement pour la fabrication de pièces moulees.