DISPOSITIF ELECTRONIQUE PHOTO–SENSIBLE A SEMI–CONDUCTEURS

N° de brevet: FR2360177 (A1)
Date de publication: 1978-02-24
Inventeur(s): ;
Demandeur(s): UNIV EDINBURGH [GB];
Classification: H01L27/144;H01L31/113;
N° de demande: FR19760022743 19760726 
Numéro(s) de priorité: FR19760022743 19760726 
Dispositif électronique photosensible à semi-conducteurs dont le courant anode-cathode est modifié par des changements provoqués par des photons de l'état électrique d'une couche diélectrique se trouvant sur le corps semi-conducteur. La matière photosensible utilisée pour le dispositif est choisie de façon à provoquer l'injection de charges dans la couche diélectrique. Le corps semi-conducteur peut constituer un transistor à effet de champ, un semi-conducteur métal-isolant ou un dispositif à couplage de charges, et la matière photosensible est, de façon appropriée, un colorant organique optiquement actif. Applications notamment aux transistors à effet de champ.

Copyright © 2008 Patfr.com Tous droits réservés. Contact