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PROCEDE DE REALISATION DE DETECTEURS SEMI–CONDUCTEURS ET DETECTEURS AINSI OBTENUS
L'invention concerne le traitement du matériel CdTe, par un dosage en volume par un halogénure choisi dans le groupe constitué par TeCl4 , TeI4 et TeBr4 , de manière à le rendre plus résistant, puis la sensibilisation de la surface d'un échantillon de matériau par un bain chimique de manière à créer une mince couche de tellure sensiblement conductrice et enfin le dépôt par voie électrolytique d'une couche métallique d'un metal quelconque, sur au moins une partie de sa surface. Application : détecteur de rayonnement.
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