PROCEDE DE REALISATION DE DETECTEURS SEMI–CONDUCTEURS ET DETECTEURS AINSI OBTENUS

N° de brevet: FR2356454 (A1)
Date de publication: 1978-01-27
Inventeur(s): BRISSOT JEAN-JACQUES;BELIN CHRISTIAN;ORTEGA FRANCIS;TRANCHARD JEAN-CLAUDE;
Demandeur(s): LABO ELECTRONIQUE PHYSIQUE [FR];
Classification: C25D5/34;C30B13/02;C30B13/10;C30B33/00;
N° de demande: FR19760020092 19760701 
Numéro(s) de priorité: FR19760020092 19760701 
L'invention concerne le traitement du matériel CdTe, par un dosage en volume par un halogénure choisi dans le groupe constitué par TeCl4 , TeI4 et TeBr4 , de manière à le rendre plus résistant, puis la sensibilisation de la surface d'un échantillon de matériau par un bain chimique de manière à créer une mince couche de tellure sensiblement conductrice et enfin le dépôt par voie électrolytique d'une couche métallique d'un metal quelconque, sur au moins une partie de sa surface. Application : détecteur de rayonnement.

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